公開Marco Pieters ASML Investor Day Veldhoven, 荷蘭， 2024年11月14日執行副總裁兼業務線負責人2024年互動影像lithography方案及商機 展示99.6
公開互動影像商機及增長驅動力 • 互動影像專注於提高我們客戶的準確性和圖案產量。 • 準確性: 通過計算影像學（物理模型及人工智能），計量檢測及檢驗和掃描優化來推動Overlay和邊緣位置誤差（EPE）方面的改善。 • 圖案產量: 為2D和3D結構提供適用的節本及檢驗方案，實現早期產量提升和全面的互動影像控制。 • 在多電子束檢測方面取得重大進展，HVm的應用首先將是電壓對比檢測 • 隨後是更小的2D特性和3D結構，需要埋藏缺陷檢測 • 通過提供前端3D整合（晶片鍵合）的計量和控制方案，以滿足客戶的Overlay需求。 • 預計互動影像業務將於2025年至2030年以大於15％的年複合增長率快速增長，具有強勁的毛利率。 计算影像学和计量檢測互动影像控制能力強大的互动影像掃描儀 美服離子激光與複製激光
公開 • 圖案製程控制 • 光學計量 • 電子束計量 • 電子束檢驗 • 基於人工智能的模型 • 覆蓋 • 區域CDU • 邊緣位置誤差（EPE） 互動影像使我們客戶能夠最大化每日良好晶圓 我們的產品組合專注於圖案產量和準確度解析度生產力 × × × • 先進的深紫外 • 極紫外0.33 NA • 極紫外0.55 NA • 系統吞吐量 • 整體設備效率 運營成本 環境成本系統成本生命週期/ + 1噸CO2 = 200歐元 + = 圖案產量徵收率 Page 3，2024年11月14日
EPE: 邊緣位置誤差 資料來源:Luc van den Hove，IMEC，ITF，2024年5月21日 0 5 10 15 30 20 25 21 18 16 14 28 4.3 3.5 3.5 公開數據 客戶預測 2020年2023年2025年2027年2029年2031年2033年2035年17 14 3.8 22 23 EPE [nm]，節點，金屬間距，線性刻度產量高峰年份 7 2039、2037 12 3 5 3 2 1.4 1.0 0.7 0.20.5 0.3 小於0.2邏輯金屬間距[nm] 邊緣位置誤差[nm] 不確定性 5.5 4.5 5.8 Node name1 [nm] 40 預估 公開 Page 4 0 50 200 100 1500億 側排金屬間距估計[nm] 范圍 背面金屬間距 165 65 115 45 42 40 34 40 28 90 5.2 邏輯路徑圖繼續推動縮小，需要改善邊緣位置誤差，緊密了背面金屬間距和鍵合後疊加 2024年11月14日
公共演化行業路線圖推動應用產品圖案收益率準確性驅動趨勢計算光刻術LitAndEtch模型準確性，計算成本物理模型→＋深度學習矩形→自由形式面罩圖案CPU→混合GPU計算掃描儀和過程控制軟體轉向EPE，線距縮小，晶圓貼合覆蓋解決方案覆蓋，CD→EPE 高成本制造：DUV→DUV + EUV→ HNA EUV低→更高階掃描儀修正 2024年11月14日 高解析度檢測解析度和產量電氣和埋藏缺陷單梁/光學→多梁（包括電壓對比）光學和電子束的量度精確性、精密度、局部隨機效應光學覆蓋： • 目標→設備 • 更多採樣電子束: • 小→大視野 • 大量計量
公共演化產業發展機會的路線圖，應用產品2023年2026年2030年掃描儀和過程控制軟體計算光刻光學和電子束量度高解析度檢測（光學及電子束）5.4十億€7.6十億€11十億€總可供市場EUV DUV量度和檢查2024年11月14日計算光刻和量度
公共光刻是一個強大的工具，用以補償工藝指紋校正能力增加約5個數量級曝光階段所有晶圓皆測量所有晶圓按區域測量 測量階段奇數區域 偶數區域 灰色濾器 X Y Z 光學中心線劑量操作器柔性光源反光板階段1975年1980年1985年1990年1995年2000年2005年2010年2015年2020年2025年1000 100 10 1 0.1覆疊[nm] 第7頁 1,000 100 10 1 10,000 #用戶可選擇的光罩校正數每批100,000提高每個區域、晶圓、批次的校正能力掃描儀和過程控制軟體 2024年11月14日
公共整體方法改善了覆蓋範圍約3個數量級，校正能力提高約5個數量級，覆蓋範圍改善了約3個數量級曝光階段100％的晶圓均已進行測量 100％的晶圓均已逐場加工計量階段 偶數指數 奇數指數 灰色濾光片 X Y Z 光學中心線劑量操控器靈活照明器物件階段 1975 1980 1985 1990 1995 2000 2005 2010 2015 2020 2025 1000 100 10 1 0.1實現的覆蓋範圍光刻 O v e rl a y [ n m ] 第8頁 可供整體光刻控制的參數數目整體光刻的重要性日益增長用整體光刻實現的覆蓋範圍整體光刻 1,000 100 10 1 10,000 100,000掃描儀和工藝控制軟體2024年11月14日# 用戶可選擇的大單石英玻璃薄膜校正量每批
公共用戶可選擇的整體方法改善了覆蓋範圍約3個數量級，且擴展到EPE提供了另一個提高產量的機會 1975 1980 1985 1990 1995 2000 2005 2010 2015 2020 2025 1000 100 10 1 0.1實現的覆蓋範圍光刻 O v e rl a y [ n m ] 第9頁 可供整體光刻控制的參數數目整體光刻的重要性日益增長用整體光刻實現的覆蓋範圍整體光刻 1,000 100 10 1 10,000 100,000與產量EPE OVL CD的相關性掃描儀和工藝控制軟體2024年11月14日
公共DUV EUV插入高NA EUV插入第10頁2010年2012年2014年2020年2022年2024年2026年2028年2030年 10000 1 2016 2018 100 10 1000計量#模型中有的參數計量規加數物理模型+計量+AI物理模型準確性成本人工智能計算光刻計算光刻：在機器學習和大規模計量的引入下，光學接近糾正的精確性迅速提高了一倍
公共通過結合計量數據並將其轉化為掃描器激活來優化圖案產量第11頁圖案（N+1層）覆蓋計量電子束計量電子束計量圖案（N層）全局CD層N層和層N+1覆蓋層N+1全局CD局部CDU及定位線邊粗糙度=+ + + +劑量及網格激活以最小化EPE低/中密度電子束低/中密度電子束高密度電子束高密度電子束光學或電子束邊緣定位錯誤計算光刻（光學接近糾正）EPE感知最佳化利用來自密集計量數據的所有信息 感謝Tae Kwon Jee提供，Sk Hynix Inc. S u : H ASML，S I，“Th p h z p z RAm n s” 2024年11月14日
公共大型覆蓋計量法需要驅動那些掃描儀校正，YieldStar平台能夠使採樣增加80％，同時成本效益每4年提高30~45％第12頁100% 90% 80% 70% 60% 50% 40% 30% 20% 0% 14000 13000 12000 11000 10000 9000 8000 7000 6000 5000 4000 3000 2000 1000 0 2010 2014 2018 2022 2026 203000萬e科技成本每點 Points測量每批40% 20% 40% 45% 800 1400 2400 5200 7000 14000 機會受到 >2000點每片晶圓更高分辨率和晶片鍵合要求的推動 光學和電子束計量30% 2024年11月14日
公共YieldStar已安裝基地於H1'24年達到 >1000套系統第13頁 光學和電子束計量2010 2015 2020 2024 1200 1000 800 600 400 200 0出貨量[累加]'23'22'21'19'18'17'16'14'13'12'11'09'08 2024年11月14日
公共Patterning Yield: 電子束為物理、埋藏缺陷和電壓對比提供機會 電壓對比正推動電子束檢測插入大量製造第14頁 160 1040 20 8 6 4 2 缺陷大小[nm] 埋藏和電氣缺陷 超高解析度物理檢查埋藏缺陷（高著陸能量） VC檢查和透視（僅電子束）*來源：Tuyen Tran，納米電子計量和診斷技術，第1版，2016年，ISBN-10：9814745081 <10nm缺陷 超高解析度物理檢查表面缺陷（低著陸能量）物理檢查（僅電子束）>10nm缺陷中解析度物理檢查用於線上監控物理檢查（主要是光學）高解析度物理檢查用於線上監控光學檢查取得進展，但新節點開發需要更高解析度來捕捉10nm以下的缺陷更複雜的3D結構推動了對電壓對比檢查的需求，從NAND開始，現在轉向DRAM和邏輯“… h s s w 任何光學檢測儀器檢測到 ss sp”*電壓對比檢查產品監控2024年11月14日
NAND HVm採用公共電壓對比檢測技術，擴展到邏輯和DRAm，電子束檢測的獨特能力可找到限制產量的缺陷，第15頁 100 % 0 % 0 5 10 15 20 25 3530 EPE [nm] 電子束電壓對比測量證實 EPE 是產量的代理指標，通過電壓對比VC檢查：檢測導致電路層間缺陷的電氣開路和短路，廣泛應用於3D NAND，在DRAm和邏輯中擴展使用的電壓對比檢測安裝系統（2019-2023年） 10% 90% 2024年11月14日
多束eScan 1100能夠涵蓋更大晶片，並提供更優成本效益，通過10倍以上的吞吐量實現，超過5家客戶評估和資格認證供電壓對比在HVm中展示價值：具有更大晶片覆蓋率，能夠捕捉晶片缺陷指紋以進行內體監測，通過更快的吞吐量和更低的擁有成本實現 >10倍高吞吐量，與邏輯和DRAm層的單光束相比，受限的晶片取樣無法捕捉晶片缺陷指紋，所有晶片取樣可清晰捕捉晶片缺陷指紋，單光束eScan1100（多束）0.1 - 0.2%覆蓋率1 - 2%覆蓋率100 10 1 A b C D E F G H I J k L m N O t h ro u g h p u t ra ti o e S c a n 1 1 0 0 v s s in g le b e a m DRAMLOGIC eScan1100吞吐量升級Q1’25（每個條形表示一層） 第16頁2024年11月14日
客戶數據顯示eScan1100以更高的吞吐量捕捉清晰的缺陷指紋，覆蓋更大晶片七到八倍，週期時間縮短約60％* 基於707cm²的全晶片面積大小 第17頁單光束檢查eScan1100 晶片覆蓋率：0.2% 晶片覆蓋率：1.5%* 檢查時間：100% 檢查時間：約40% 錯過指紋條確的缺陷指紋2024年11月14日
多束技術在HVm中的電壓對比和物理檢查中實現更高吞吐量和更大晶片覆蓋率，用於内部缺陷監控第18頁2019年2020年2021年2023年2024年2025年2026年2027年2028年2029年100 1000 10 1 標準化吞吐量（邏輯和DRAm）每小時100％的晶片面積（VC檢查）eScan 430 eScan 600 eScan 460 eP5 XLE eScan 4x0 Next eP7 XLE HVm採用（物理檢查）2022年2030年eScan 1100第1代第2代第3代eScan 2200 NEXt HVM：高容量生產| VC：電壓對比 HVm採用（VC檢查）2024年11月14日
公開下一步的多光束技術演示中，從25束到超過2700束正在進行中，力求在2025年向客戶提供早期訪問。焦點平面驗證通過焦點測量，在闪熒屏上超過2700束都是起作用的。檢測器功能和解析度驗證樣本圖像第19頁，2024年11月14日。
公開我們預計前端3D整合將與2D縮小相輔相成，驅動密度上升。前端3D整合挑戰將帶來新的光刻機機會，適用於所有半導體產品第20頁LogIC W-W混合W-W融合W-W | D-W融合覆蓋3D NAND BSPN CFEt HVm 2026年至2032年陣列CMOS邏輯裸硅邏輯邏輯黏合5納米→2納米50納米→25納米 2.5納米→1.6納米光刻KrF NXE/EXE NXE/EXE陣列W-W / D-W混合陣列CMOS 50納米→25納米KrF NAND DRAM W-W混合W-W混合W-W / D-W混合3D ARRAY4F2 2D ARRAY超過2027年至2032年超過2032年陣列CMOS陣列CMOS陣列CMOS陣列大於4.5納米6納米→3納米6紳米→3納米ArFiArFi ArFi至2030年，2024年11月14日。
公開整體光刻技術將實現3D整合，對於堆疊前後關鍵工藝點的計量和掃描控制將有所需要以實現覆蓋。第21頁小於5納米覆蓋誤差兩張晶圓具有分開的圖案和工藝，但在粘合之前需要將覆蓋匹配。粘合之前的陣列CMOS粘合機在晶圓上造成巨大變形CMOS掃描校正和控制2陣列掃描和離線計量1致動器粘合2024年11月14日。
公開整體光刻技術將實現3D整合，對於堆疊前後關鍵工藝點的計量和掃描控制將有所需要以實現覆蓋第22頁致動器在粘合後將覆蓋完全恢復至客戶要求。粘合後每晶圓超過2000個測量小於5納米覆蓋誤差3粘合機在晶圓上造成巨大變形粘合超過5000個測量每晶圓大於50納米覆蓋誤差標準粘合配方，優化後粘合網格共同優化粘合配方，優化後粘合光刻晶圓粘合後直接變形光刻校正後覆蓋誤差晶圓粘合後直接變形光刻校正後覆蓋誤差需要對每個晶圓進行大量計量，以對各種（局部）指紋的大規模分類理查德·范哈倫在所有，ASML，EVG，Leti：「直接晶圓對晶圓粘合引入的局部晶圓變形的表徵和減輕」，SPIE先進光刻+圖案，2024年11月14日。
公共整體光刻將在預結合關鍵過程的前後推動3D整合計量和掃描器控制來實現複合頁23 前結合CMOS掃描器矯正和控制陣列掃描器和離線計量2 1致動器後結合結合陣列CMOS大量計量致動器大尺寸晶圓變形3計量光刻掃描器整體光刻過程控制要點致動器321 5000 measurements/wafer 50~100nm 疊合誤差 2000 measurements/wafer < 5 nm疊合誤差 < 5 nm疊合誤差整體光刻帶來疊合誤差達規範2024年11月14日
公共整體光刻機遇與成長動力 • 整體光刻專注提高準確度和圖案產量，造福客戶。 • 準確度：透過計算光刻(物理模型和AI)、計量和檢查、掃描器優化來改善疊合和邊緣放置誤差 (EPE)。 • 圖案產量：為2D和3D結構提供具成本效益的計量和檢查解決方案，實現早期產量提升和整體光刻控制 • 多束掃描檢查取得重大進展，首次應用將是電壓對比檢查 • 隨後是需進行埋入式缺陷檢查的更小的2D特徵和3D結構 • 使前端3D整合(硅片結合)能夠滿足客戶的疊合需求以及計量和控制解決方案 • 預期整體光刻業務將在2025年至2030年期間以超過15%的複合年增長率增長，並實現強勁的毛利率。計算光刻和計量計量和檢查具有先進控制能力的光刻掃描器 EUV DUV
公共展望性陳述本文件和相關討論包含根據1995年美國私人證券訴訟改革法案的意義內容向前看的陳述，包括涉及我們的戰略、計劃和預期趨勢的陳述，包括最終市場和技術行業的趨勢、AI的出現及其對半導體產業的潛在機會和2030年之前的抱負，全球市場趨勢和技術，產品和客戶路線圖，長期展望和預期的光刻和半導體行業增長和趨勢以及2024年和2024年以後半導體銷售和半導體市場機會的預期增長，對晶圓需求和產能增長的預期和額外的晶圓需求，預計客戶的投資，包括對我們技術和晶圓生產能力的投資，增加產能計劃，預期的光刻支出增長，增長機會，包括服務和升級的增長機會以及安裝基地管理銷售增長機會，整體光刻業務的預期增長和毛利率強勁，至2030年從2025年以來超過15%複合年增長率的整體光刻預計將實現強勁的毛利率。計算光刻和計量計量和檢查具有先進控制能力的光刻掃描器 EUV DUV
公眾感謝您