SK hynix、世界初の321層NANDフラッシュメモリの量産開始 – 半導体業界で新たな技術革新

2024年11月22日(一部抜粋)

SK hynixは、世界初となる321層4D NANDフラッシュメモリの量産を開始したことを発表した。1テラビットの記憶容量を持つこの新製品は、独自の「3プラグ」製造プロセスを採用し、2025年上半期から顧客への出荷を開始する予定である。

SK hynixが採用した3プラグ（プラグ：何層もの基板を縦に貫通させ、一度にセルを作ることを目的とする）技術は、約100層ずつの3つのスタックを垂直に積層する方式を採用している。従来の製造方法では、100層を超えるとエッチング装置の信頼性が低下するという課題があった。同社は低ストレス材料への変更で反りを低減させることやプラグ間の自動位置補正技術を導入することで、この技術的課題を克服した。